Quick Search: Journal  Author  Title/Abstract  Vol./Year 

Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) pp. 7565-7586  |Next Article|  |Table of Contents|
|Full Text PDF: FREE (558K)|

Invited Review Paper

Present Status and Future Prospect of Widegap Semiconductor High-Power Devices

Hajime Okumura

Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan

(Received May 18, 2006; accepted June 12, 2006; published online October 6, 2006)

High-power device technology is a key technological factor for wireless communication, which is one of the information network infrastructures in the 21st century, as well as power electronics innovation, which contributes considerably to solving the energy saving problem in the future energy network. Widegap semiconductors, such as SiC and GaN, are strongly expected as high-power high-frequency devices and high-power switching devices owing to their material properties. In this paper, the present status and future prospect of these widegap semiconductor high-power devices are reviewed, in the context of applications in wireless communication and power electronics.

URL: http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/45/7565/
DOI: 10.1143/JJAP.45.7565


|Full Text PDF: FREE (558K)|  Citation:

References | Citing Articles (42)

  1. S. Yoshida: Parity 11 (1996) 25 [in Japanese].
  2. I. Akasaki and H. Amano: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5393[JSAP].
  3. H. Matsunami: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 6835[JSAP].
  4. H. Ohashi: J. Inst. Electr. Eng. Jpn. 102 (2002) 168 [in Japanese].
  5. T. P. Cho: Mater. Sci. Forum 338–342 (2000) 1155.
  6. E. O. Johnson: RCA Rev. 26 (1965) 163.
  7. R. W. Keyes: Proc. IEEE 60 (1972) 225.
  8. B. J. Baliga: J. Appl. Phys. 53 (1982) 1759[AIP Scitation].
  9. B. J. Baliga: IEEE Electron Device Lett. 10 (1989).
  10. K. Shenai, R. S. Scott and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 1811[CrossRef].
  11. P. M. Asbeck, E. T. Yu, S. S. Lau, G. J. Sallivan, J. van Hove and J. Redwing: Electron. Lett. 33 (1997) 1230[AIP Scitation].
  12. O. Ambacher, J. Majeweski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernardini, V. Fiorentini, V. Tilak, B. Schaff and L. F. Eastman: J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) 3399[IoP STACKS].
  13. S. Yoshida: Bull. Electrotech. Lab. 62 (1998) 55 [in Japanese].
  14. R. J. Trew, J. B. Yan and P. M. Mock: Proc. IEEE 79 (1991) 598.
  15. W. Saito, I. Omura, T. Ogura and H. Ohashi: Solid-State Electron. 48 (2004) 1555[CrossRef].
  16. D. I. Florescu, V. M. Asnin, F. H. Pollak, A. M. Jones, J. C. Ramer, M. J. Schuman and I. Ferguson: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 1464[AIP Scitation].
  17. A. Jezowski, P. Stachowiak, T. Suski, S. Krukowski, M. Bockowski, J. Grzegory and B. Danilchenko: Phys. Status Solidi B 240 (2003) 447[CrossRef].
  18. S. T. Allen, R. A. Sadler, T. S. Alcorn, J. Sumakeris, R. C. Glass, C. H. Carter, Jr. and J. W. Palmour: Mater. Sci. Forum 264–268 (1998) 953.
  19. S. Sriram, G. Augustine, A. A. Burk, R. C. Glass, H. M. Hobgood, P. A. Orphanos, L. B. Rowland, T. J. Smith, C. D. Brandt, M. C. Driver and R. H. Hopkins: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 369[CrossRef].
  20. K. E. Moore, C. E. Weitzel, K. J. Nordquist, L. L. Pond, III, J. W. Palmour, S. Allen and C. H. Carter, Jr.: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 69[CrossRef].
  21. S. T. Allen, T. Alcorn, H. Hagleitner, J. Henning, C. Janke, Z. Ring, S. Sriram, A. Ward and J. Palmour: Final Prog. European Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2002, Linköping, 2002, WeIN-01.
  22. J. Palmour, S. Allen, S. Sheppard, W. Pribble, R. Sadler, T. Alcorn, W. Ring and C. Carter, Jr.: Conf. Dig. 57th Device Research Conf., Santa Barbara, 1999, p. 38.
  23. S. Allen, W. Pribble, R. Sadler, T. Alcon, Z. Ring and J. Palmour: Dig. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp., Anaheim, 1999, p. 324.
  24. C. E. Weitzel: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1990) 1732[CrossRef].
  25. A. W. Morse, P. M. Esker, R. C. Clarke, C. D. Brandt, R. R. Siergiej and A. K. Agarwal: Dig. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp., San Francisco, 1996, p. 677.
  26. A. Morse, P. Esker, S. Sriram, J. Hawkins, I. Chen, J. Ostop, T. Smith, C. Davis, R. Barron, R. Clarke, R. Siergiej and C. Brandt: Dig. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp., Denver, 1997, p. 53.
  27. S. Sriram, A. Ward, C. Janke, T. Alcorn, H. Hangleitner, J. Henning, K. Wieber, J. Jenny, J. Sumakeris and S. Allen: Mater. Sci. Forum 457–460 (2003) 1205.
  28. M. Arai, S. Ono and C. Kimura: Electron. Lett. 40 (2004) 1026[AIP Scitation].
  29. U. K. Mishra, P. Parikh and Y. F. Wu: Proc. IEEE 90 (2002) 1022.
  30. L. F. Eastman and U. K. Mishra: IEEE Spectrum 39 (2002) 28.
  31. Y. Ohno and M. Kuzuhara: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 517[CrossRef].
  32. M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai and D. T. Olsen: Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 1786[AIP Scitation].
  33. S. C. Binari, L. B. Rowland, W. Kruppa, G. Kelner, K. Doverspike and D. K. Gaskill: Electron. Lett. 30 (1994) 1248[AIP Scitation].
  34. M. A. Khan, J. M. van Hove, J. N. Kuznia and D. T. Olsen: Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 2408[AIP Scitation].
  35. M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. van Hove, N. Pan and J. Carter: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 3027[AIP Scitation].
  36. M. A. Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur and B. Gelmont: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1429[AIP Scitation].
  37. J. M. Redwing, M. A. Tischler, J. S. Flynn, S. Elhamri, M. Ahoujja, R. S. Newrock and W. C. Mitchel: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 963[AIP Scitation].
  38. C. F. Lin, H. C. Cheng, J. A. Huang, M. S. Feng, J. D. Duo and G. C. Chi: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2583[AIP Scitation].
  39. E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Simin, X. Hu, M. A. Khan, M. S. Shur, R. Gaska and D. Maude: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2551[AIP Scitation].
  40. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang and R. J. Molnar: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2888[AIP Scitation].
  41. M. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia and D. T. Olsen: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 1214[AIP Scitation].
  42. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. J. Schaff and L. F. Eastman: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 584[CrossRef].
  43. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. A. Khan and M. S. Shur: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 492[CrossRef].
  44. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 54[CrossRef].
  45. G. J. Sullivan, M. Y. Chen, J. A. Higgins, J. W. Yang, Q. Chen, R. L. Pierson and B. T. McDermott: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 198[CrossRef].
  46. J. Mita, H. Okita, K. Kaifu, T. Yamada, Y. Sano, H. Ishikawa, T. Egawa and T. Jimbo: Dig. 61st Device Research Conf., Salt Lake City, 2003, Late News II.A-9.
  47. M. Micovic, N. S. Nguyen, P. Janke, W.-S. Wong, P. Hashimoto, L.-M. McCray and C. Nguyen: Electron. Lett. 36 (2000) 358[AIP Scitation].
  48. V. Kumar, W. Lu, R. Schwindt, A. Kuliev, G. Simin, J. Yang, M. A. Khan and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 455[CrossRef].
  49. M. Higashiwaki and T. Matsui: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L475[JSAP].
  50. T. Inoue, Y. Ando, H. Miyamoto, T. Nakayama, Y. Okamoto, K. Hataya and M. Kuzuhara: IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 53 (2005) 74.
  51. Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 50[CrossRef].
  52. S. Keller, Y. F. Wu, G. Parish, N. Ziang, J. J. Xu, B. P. Keller, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 552[CrossRef].
  53. L. F. Eastman, V. Tilak, V. Kaper, J. Smart, R. Thompson, B. Green, J. R. Shealy and T. Prunty: Phys. Status Solidi A 194 (2002) 433[CrossRef].
  54. Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R. P. Smith, S. Sheppard, P. M. Chavarkar, T. Wisleder, U. K. Mishra and P. Parikh: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 117[CrossRef].
  55. C. Lee, H. Wang, J. Yang, L. Witkowski, M. Muir, M. A. Khan and P. Saunier: Electron. Lett. 38 (2002) 924[AIP Scitation].
  56. M. Kuzuhara, H. Miyamoto, Y. Ando, T. Inoue, Y. Okamoto and T. Nakayama: Phys. Status Solidi A 200 (2003) 161[CrossRef].
  57. L. F. Eastman: Proc. 28th Int. Symp. Compound Semiconductors, Tokyo, 2001, p. 60.
  58. Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, J. J. Xu, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: IEICE Trans. Electron. E82-C (1999) 1895.
  59. Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, N. Hayama, T. Nakayama, K. Kasahara and M. Kuzuhara: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 381.
  60. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 586[CrossRef].
  61. J. W. Palmour, S. T. Sheppard, R. P. Smith, S. T. Allen, W. L. Pribble, T. J. Smith, Z. Ring, J. J. Sumakeris, A. W. Saxler and J. W. Milligan: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 385.
  62. S. T. Sheppard, R. P. Smith, W. L. Pribble, Z. Ring, T. Smith, S. T. Allen, J. Milligan and J. W. Palmour: 60th Device Research Conf. Dig., Santa Barbara, 2002, p. 175.
  63. Y. Okamoto, Y. Ando, K. Hatara, T. Nakayama, H. Miyamoto, T. Inoue, M. Senda, K. Hirata, M. Kosaki, N. Shibata and M. Kuzuhara: IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 52 (2004) 2536.
  64. T. Kikkawa, T. Mitani, H. Hayashi, M. Kanamura, S. Yokokawa, M. Nishi, N. Adachi, M. Yokoyama, Y. Tateno and K. Joshin: Dig. IEEE Int. Microwave Symp., Fort Worth, 2004, p. 1347.
  65. R. Therrien, S. Singhal, J. W. Johnson, W. Nagy, R. Borges, A. Chaudhari, A. W. Hanson, A. Edwards, J. Marquart, P. Rajagopal, C. Park, I. C. Kizilyalli and K. J. Linthicum: IEDM Tech. Dig., 2005, 23.1.
  66. Y.-F. Wu, M. Moore, A. Saxler, T. Wisleder, U. K. Mishra and P. Parikh: IEDM Tech. Dig., 2005, 23.5.
  67. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, T. Asatsuma, T. Kobayashi and S. Imanaga: J. Cryst. Growth 189–190 (1998) 738[CrossRef].
  68. N. Maeda, T. Makimura, T. Maruyama, C. Wang, M. Hiroki, H. Yokoyama, T. Makimoto, T. Kobayashi and T. Enoki: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L646[JSAP].
  69. T. Nakayama, Y. Ando, Y. Okamoto, T. Inoue and H. Miyamoto: Electron. Lett. 42 (2006) 489[AIP Scitation].
  70. J. Pankove, S. S. Chang, H. C. Lee, R. J. Molnar, T. D. Moustakas and B. van Zeghbroeck: IEDM Tech. Dig., 1994, p. 389.
  71. S. S. Chang, J. Pankove, M. Leksono and B. van Zeghbroeck: 53rd Device Research Conf. Dig., Charlottesfille, 1995, IVB-5.
  72. L. S. McCarthy, P. Kozodoy, M. Rodwell, S. DenBaars and U. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 277[CrossRef].
  73. B. S. Shelton, J. J. Huang, D. J. H. Lambert, T. G. Zhu, M. M. Wang, C. J. Eiting, H. K. Kwon, M. Feng and R. D. Dupuis: Electron. Lett. 36 (2000) 80[AIP Scitation].
  74. H. Xing, P. Chavarcar, D. S. Green, D. Jena, S. Keller, U. K. Mishra and S. P. DenBaars: Int. Workshop Nitrides Semiconductors Abstr., Aachen, 2002, p. 114.
  75. T. Makimoto, K. Kumakura and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 380[AIP Scitation].
  76. T. Makimoto, K. Kumakura and N. Kobayashi: Proc. 5th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Nara, 2003, p. 195.
  77. T. Palacios, A. Chakraborty, S. Keller, S. P. DenBaars and U. K. Mishra: Dig. 63rd Device Research Conf., Santa Barbara, 2005, p. 181.
  78. C. Ota, J. Nishio, T. Hatakeyama, T. Shinohe, K. Kojima, S. Nishizawa and H. Oohashi: Ext. Abstr. (2005 Spring Meet.); Japan Society of Applied Physics, Saitama, 2005, 31a-YK-10 [in Japanese].
  79. H. Tsuchida, I. Kamata, T. Miyanagi and T. Nakamura: Ext. Abstr. (2005 Spring Meet.); Japan Society of Applied Physics, Saitama, 2005, 31p-YK-9 [in Japanese].
  80. J. H. Zhao, P. Alexandrov and X. Li: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 402[CrossRef].
  81. A. R. Powell, R. T. Leonared, M. F. Brady, St. G. Müller, V. F. Tsvetkov, R. Trussell, J. J. Sumakeris, H. McD. Hobgood, A. A. Burk, R. C. Glass and C. H. Carter, Jr.: Mater. Sci. Forum 457–460 (2004) 41.
  82. H. Lendenmann, F. Dahlquist, J. P. Bergman, H. Bleichner and C. Hallin: Mater. Sci. Forum 389–393 (2002) 1259.
  83. R. K. Malhan, H. Nakamura, S. Onda, D. Nakamura and K. Hara: Mater. Sci. Forum 433–436 (2003) 917.
  84. Y. Tanaka, S. Nishizawa, K. Fukuda, K. Arai, T. Ohno, N. Oyanagi, T. Suzuki and T. Yatsuo: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 377[AIP Scitation].
  85. Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, R. Singh, J. Palmour and T. Hayashi: Proc. 2001 Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Osaka, 2001, p. 27.
  86. M. K. Das, J. J. Sumakeris, B. A. Hull, J. Richmond, S. Krishnaswami and A. R. Powell: Mater. Sci. Forum 483–485 (2005) 965.
  87. G. Deboy, M. Marz, J. P. Stengl, H. Strack, J. Tihanyi and H. Weber: IEDM Tech. Dig., 1998, p. 683.
  88. http://www.rohm.co.jp/news/1
  89. S. H. Ryu, S. Krishnaswami, M. Das, B. Hull, J. Richmond, A. Agarwal, J. Palmour and J. Scoefield: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Santa Barbara, 2005, p. 275.
  90. S. Harada, M. Okamoto, T. Yatsuo, K. Adachi, K. Fukuda and K. Arai: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Kitakyushu, 2004, p. 313.
  91. S. Harada, M. Kato, M. Okamoto, T. Yatsuo, K. Fukuda and K. Arai: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Naples, 2006, p. 125.
  92. J. Tan and J. A. Cooper, Jr.: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 487[CrossRef].
  93. S.-H. Ryu, S. Krishnaswami, M. Das, J. Rchimond, A. Agarwal, J. Palmour and J. Scofield: Mater. Sci. Forum 483–485 (2005) 797.
  94. http://www.siced.de/
  95. Y. Sugawara, K. Asano, D. Takayama, S. Ryu, R. Singh, J. Palmour and T. Hayashi: Mater. Sci. Forum 389–393 (2002) 1199.
  96. Y. Tanaka, K. Yano, M. Okamoto, A. Takatsuka, K. Fukuda, M. Kasuga, K. Arai and T. Yatsuo: Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pittsburgh, 2005, p. 46.
  97. D. Stephani: Abstr. Symp. Future Electron Device 2001, Tokyo, 2001, p. 3.
  98. K. Asano, Y. Sugawara, S. Ryu, R. Singh, J. Palmour, T. Hayashi and D. Takayama: Proc. 2001 Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Osaka, 2001, p. 23.
  99. Y. Li, P. Alexandrov, J. Zhang, L. X. Li, J. H. Zhao and M. Su: Abstr. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pittsburgh, 2005, p. 11.
  100. J. H. Zhao, K. Tone, P. Alexandrov, L. Fursin and M. Weiner: Proc. Int. Conf. Power Semiconductor Devices and ICs, Cambridge, 2003, p. 50.
  101. S. Krishnaswami, A. Agarwal, C. Capell, J. Richmond, S.-H. Ryu, J. Palmour, S. Balachandran, T. P. Chow, S. Bayne, B. Geil, K. A. Jones and C. Scozzie: Mater. Sci. Forum 483–485 (2005) 901.
  102. A. Agarwal, S.-H. Ryu, C. Capell, J. Richmond, J. Palmour, H. Bartlow, P. Chow, S. Scozzie, W. Tipton, S. Baynes and K. Jones: Mater. Sci. Forum 457–460 (2004) 1141.
  103. J. H. Zhao, J. Zhang, P. Alexandrov, X. Li and T. Burke: Mater. Sci. Forum 457–460 (2004) 1173.
  104. Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, A. Agarwal, S. Ryu, J. Palmour and S. Ogata: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Kitakyushu, 2004, p. 365.
  105. N.-Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang and T. P. Ma: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 213[CrossRef].
  106. S. Yoshida and H. Ishii: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 243[CrossRef].
  107. W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura and T. Ogura: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 587.
  108. N.-Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang and T. P. Ma: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 589.
  109. S. Yagi, M. Shimizu, M. Inada, Y. Yamamoto, G. Piao, H. Okumura, Y. Yano, N. Akutsu and H. Ohashi: Solid-State Electron. 50 (2006) 1057[CrossRef].
  110. M. Inada, S. Yagi, Y. Yamamoto, G. Piao, M. Shimizu, H. Okumura, K. Arai, Y. Yano and N. Akutsu: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, Naples, 2006, p. 121.
  111. S. Yoshida, D. Wang and M. Ichikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L820[JSAP].
  112. M. Hikita, M. Yanagihara, K. Nakazawa, H. Ueno, Y. Hirose, T. Ueda, Y. Uemoto, T. Tanaka, D. Ueda and T. Egawa: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 803.
  113. K. Matocha, T. P. Chow and R. J. Gutmann: IEEE Trans. Electron Devices 52 (2005) 6[CrossRef].
  114. T. Kachi, N. Soejima, T. Uesugi, H. Ueda, M. Kodama, M. Kanechika and M. Sugimoto: Abstr. 6th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Bremen, 2005, Th-P-139.
  115. C. Weitzel, L. Pond, K. Moore and M. Bhatnagar: Mater. Sci. Forum 264–268 (1998) 969.
  116. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. M. Redwing, J. Y. Lin and H. X. Jiang: J. Appl. Phys. 87 (2000) 801[AIP Scitation].
  117. E. J. Miller, X. A. Dang and E. T. Yu: J. Appl. Phys. 88 (2000) 5951[AIP Scitation].
  118. J. H. Mazur, M. Benamara, Z. Liliental-Weber, W. Swider, J. Washburn, C. J. Eiting and R. D. Dupuis: MRS Internet J. Nitride Semicond. 5S1 (2000) W3.77.
  119. H. Hasegawa and S. Oyama: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1647[AIP Scitation].
  120. J. Kotani, T. Hashizume and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 2179[AIP Scitation].
  121. T. Hashizume and H. Hasegawa: Appl. Surf. Sci. 234 (2004) 387[CrossRef].
  122. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, R. J. Molnar, B. Heying and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 79[AIP Scitation].
  123. B. S. Simpkins, E. T. Yu, P. Walltereit and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 94 (2003) 1448[AIP Scitation].
  124. J. E. Northrup: Phys. Rev. B 66 (2002) 045204[APS].
  125. K. Shiojima and T. Suemitsu: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 698[AIP Scitation].
  126. D.-H. Cho, M. Shimizu, T. Ide, H. Okita and H. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 4481[JSAP].
  127. T. Hashizume, S. Ootomo, T. Inagaki and H. Hasegawa: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 1828[AIP Scitation].
  128. T. Hashizume, S. Ootomo and S. Kishimoto: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 2952[AIP Scitation].
  129. M. Ochiai, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa and T. Mizutani: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2278[JSAP].
  130. C. S. Oh, C. J. Youn, G. M. Yang, K. Y. Lim and J. W. Yang: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4214[AIP Scitation].
  131. Y. Ohno, T. Nakano, S. Kishimoto, K. Maezawa and T. Mizutani: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2184[AIP Scitation].
  132. Y. Ando, Y. Okamoto, H. Miyamoto, T. Nakayama, T. Inoue and M. Kuzuhara: IEEE Electron Device Lett. 24 (2003) 289[CrossRef].
  133. Y. Wu, M. Moore, T. Wisleder, P. M. Chavarkar, U. K. Mishra and P. Parikh: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 1078.
  134. Y. Ando, A. Wakejima, Y. Okamoto, T. Nakayama, K. Ota, K. Yamanoguchi, Y. Murase, K. Kasahara, K. Matsunaga, T. Inoue and H. Miyamoto: IEDM Tech. Dig., 2005, 23.3.
  135. S. C. Binari, W. Kruppa, H. B. Dietrich, G. Kelner, A. E. Wickenden and J. A. Freitas, Jr.: Solid-State Electron. 41 (1997) 1549.
  136. R. Vetury, N. O. Zhang, S. Keller and U. K. Mishra: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 560[CrossRef].
  137. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto and K. Maezawa: Phys. Status Solidi A 194 (2002) 447[CrossRef].
  138. H. Hasegawa, T. Inagaki, S. Ootomo and T. Hashizume: J. Vac. Sci. Technol. B 21 (2003) 1844[AIP Scitation].
  139. O. Noblanc, C. Arnodo, C. Dua, E. Chartier and C. Brylinski: Mater. Sci. Forum 338–342 (2000) 1247.
  140. K. Hilton, M. Uren, D. Hayes, P. Wilding, H. Johnson, J. Guest and B. Smith: Mater. Sci. Forum 338–342 (2000) 1251.
  141. A. K. Agarwal, J. B. Casady, L. B. Rowland, W. F. Valek, M. H. White and C. D. Brandt: IEEE Electron Device Lett. 18 (1997) 586[CrossRef].
  142. V. V. Afanas'ev, F. Ciobanu, D. Dimitrijev, G. Pensl and A. Stesmans: Mater. Sci. Forum 563–568 (2005) 483.
  143. L. A. Lipkin and J. W. Palmour: J. Electron. Mater. 25 (1996) 909.
  144. K. Ueno, R. Asai and T. Tsuji: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 244[CrossRef].
  145. H. F. Li, S. Dimitrijev, H. B. Harrison and D. Sweatman: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2028[AIP Scitation].
  146. G. Y. Chung, C. C. Tin, J. R. Williams, K. McDonald, R. K. Chanana, R. A. Weller, S. T. Pantelides, L. C. Feldman, O. W. Holland, M. K. Das and J. W. Palmour: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 176[CrossRef].
  147. L. A. Lipkin, M. K. Das and J. W. Palmour: Mater. Sci. Forum 389–393 (2002) 985.
  148. H. Yano, T. Hirao, T. Kimoto, H. Matsunami, K. Asano and Y. Sugawara: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 611[CrossRef].
  149. S. Harada, S. Suzuki, J. Senzaki, R. Kosugi, K. Adachi, K. Fukuda and K. Arai: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 272[CrossRef].
  150. J. Senzaki, K. Kojima, T. Suzuki and K. Fukuda: Mater. Sci. Forum 433–436 (2003) 613.
  151. J. Senzaki, K. Kojima, T. Kato, J. Shimozato and K. Fukuda: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 022909[AIP Scitation].
  152. S. Jia, Y. Cai, D. Wang, Z. Zhang, K. J. Chen and K. M. Lau: Abstr. 6th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Bremen, 2005, Th-P-013.
  153. O. Katz, D. Mistele, B. Meyler, G. Bahir and J. Salzman: IEEE Trans. Electron Devices 52 (2005) 146[CrossRef].
  154. L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Corrie, N.-Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars and U. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 457[CrossRef].
  155. T. Ide, M. Shimizu, S. Hara, D.-H. Cho, K. Jeganathan, X.-Q. Shen, H. Okumura and T. Nemoto: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 5563[JSAP].
  156. X. Q. Shen, M. Shimizu and H. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L1293[JSAP].
  157. N. Kuroda, K. Shibahara, W. S. Yoo, S. Nishino and H. Matsunami: Ext. Abstr. 19th Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987, p. 227.
  158. S. Nakamura, T. Kimoto and H. Matsunami: J. Cryst. Growth 256 (2003) 341[CrossRef].
  159. K. Kojima, H. Okumura, S. Kuroda and K. Arai: J. Cryst. Growth 269 (2004) 367[CrossRef].
  160. K. Fukuda, M. Kato, K. Kojima and J. Senzaki: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2088[AIP Scitation].
  161. M. Miyoshi, H. Ishikawa, T. Egawa and T. Jimbo: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 2091[CrossRef].
  162. B. Thomas and C. Hecht: Tech. Prog. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pittsburgh, 2005, p. 30.
  163. A. Burk. M. J. O'Loughlin, M. Paisley, A. Powell, M. Brady, R. Leonard and D. McClure: Tech. Prog. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2005, Pittsburgh, 2005, p. 30.
  164. Y. Kawakami, X. Q. Shen, G. Piao, M. Shimizu, H. Nakanishi and H. Okumura: 1st Int. Symp. Growth of III–Nitrides, Linköping, 2005, WeP-18.
  165. Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43 (1978) 209[CrossRef].
  166. A. Ellison, B. Magnusson, C. Hemmingsson, W. Magnusson, T. Iakimov, I. Strasta, A. Henry, N. B. Henelius and E. Janzén: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 640 (2001) H-12-1.
  167. S. Sriram, G. Augustine, A. Burk, R. Glass, H. Hobgood, P. Orphanos, L. Rowland, T. Smith, C. Brandt, M. Driver and R. Hopkins: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 369[CrossRef].
  168. N. Sghaier, J. M. Bluet, A. Souifi, G. Guillot, E. Morvan and C. Brylinski: Mater. Sci. Forum 389–393 (2001) 1363.
  169. H. McD. Hobgood, R. C. Glass, G. Augustine, R. H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W. C. Michel and M. Roth: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1364[AIP Scitation].
  170. E. Morvan, A. Kerlain, C. Cua and C. Brylinski: Mater. Sci. Forum 433–436 (2003) 731.
  171. J. Q. Liu, H. J. Chung, T. Kuhr, Q. Li and M. Skowronski: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 2111[AIP Scitation].
  172. D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda and K. Takatori: Nature 430 (2004) 1009[CrossRef].
  173. K. Kusunoki, S. Munetoh, K. Kamei, M. Hasebe, T. Ujihara and K. Nakajima: Mater. Sci. Forum 457–460 (2004) 123.
  174. O. Kordina, C. Hallin, A. Ellison, A. S. Bakin, L. G. Ivanov, A. Henry, R. Yakimova, M. Tuominen, A. Vehanen and E. Janzén: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1456[AIP Scitation].
  175. A. Ellison, B. Magnusson, B. Sundqvist, G. Pozina, J. P. Bergman and E. Janzén: Mater. Sci. Forum 457–460 (2004) 9.
  176. I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, St. Krukowski, M. Wroblewski, B. Lucznik and S. Porowski: J. Phys. Chem. Solids 56 (1995) 639[CrossRef].
  177. S. Kurai, Y. Naoi, T. Abe, S. Ohmi and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L77[JSAP].
  178. R. J. Molnar, P. Maki, R. Aggarwal, Z. L. Liau, E. R. Brown, I. Melngailis, W. Götz, L. T. Romano and N. M. Johnson: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 423 (1996) 221.
  179. F. Kawamura, M. Morishita, T. Iwahashi, M. Yoshimura, Y. Mori and T. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1440[JSAP].
  180. F. Kawamura, M. Morishita, K. Omae, M. Yoshimura, Y. Mori and T. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L879[JSAP].
  181. M. Bickermann, B. M. Epelbaum and A. Winnacker: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 1993[CrossRef].
  182. L. J. Schowalter, W. Liu, S. B. Schujman, J. Grandusky, F. Shahedipour-Sandvik, M. Goorskky and M. Wood: Abstr. 6th Int. Conf. Nitrides Semiconductors, Bremen, 2005, Tu-G4-3.
  183. V. Soukhoveev, O. Kovalenkov, V. Ivantsov, A. Usikov and V. Dmitriev: Abstr. 6th Int. Conf. Nitrides Semiconductors, Bremen, 2005, Tu-G3-6.
  184. S. T. Allen, T. Alcorn, H. Hagleitner, J. Henning, C. Janke, Z. Ring, S. Sriram, A. Ward and J. Palmour: European Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2002 Final Program, Linköping, 2002, WeIN-01.
|TOP|  |Next Article|  |Table of Contents| |JJAP Home|
Copyright © 2013 The Japan Society of Applied Physics
Contact Information