Quick Search: Journal  Author  Title/Abstract  Vol./Year 

Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) pp. 1435-1455  |Next Article|  |Table of Contents|
|Full Text PDF: FREE (893K)|

Invited Review Paper

Developments of Plasma Etching Technology for Fabricating Semiconductor Devices

Haruhiko Abe, Masahiro Yoneda1, and Nobuo Fujiwara1

LTEC Corp., 4-42-8 Higashi-Arioka, Itami, Hyogo 664-0845, Japan
1Renesas Technology Corp., 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-0005, Japan

(Received April 25, 2007; accepted November 25, 2007; published online March 14, 2008)

Plasma etching technologies such as reactive ion etching (RIE), isotropic etching, and ashing/plasma cleaning are the currently used booster technologies for manufacturing all silicon devices based on the scaling law. The needs-driven conversion from the wet etching process to the plasma/dry etching process is reviewed. The progress made in plasma etching technologies is described from the viewpoint of requirements for the manufacturing of devices. The critical applications of RIE, isotropic etching, and plasma ashing/cleaning to form precisely controlled profiles of high-aspect-ratio contacts (HARC), gate stacks, and shallow trench isolation (STI) in the front end of line (FEOL), and also to form precise via holes and trenches used in reliable Cu/low-k (low-dielectric-constant material) interconnects in the back end of line (BEOL) are described in detail. Some critical issues inherent to RIE processing, such as the RIE-lag effect, the notch phenomenon, and plasma-induced damage including charge-up damage are described. The basic reaction mechanisms of RIE and isotropic etching are discussed. Also, a procedure for designing the etching process, which is strongly dependent on the plasma reactor configuration, is proposed. For the more precise critical dimension (CD) control of the gate pattern for leading-edge devices, the advanced process control (APC) system is shown to be effective.

URL: http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/47/1435/
DOI: 10.1143/JJAP.47.1435


|Full Text PDF: FREE (893K)|  Citation:

References | Citing Articles (52)

  1. G. E. Moore: Electronics 38 (1965) 114.
  2. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).
  3. S. M. Irving: Proc. Kodak Photoresist Seminar 2, 1968, p. 26.
  4. S. M. Irving: Solid State Technol. 14 (1971) 47.
  5. S. M. Irving: U.S. Patent 3615956 (1971).
  6. S. Uematsu, H. Abe, and A. Nara: Mitsubishi Denki Giho 45 (1971) 740 [in Japanese].
  7. H. Abe, H. Matsui, K. Demizu, and H. Komiya: Jpn. J. Appl. Phys. 12 (1973) 767[JSAP].
  8. H. Komiya, H. Abe, Y. Sonobe, and H. Matsui: IEDM Tech. Dig., 1973, p. 459.
  9. H. Abe, Y. Sonobe, and T. Enomoto: Jpn. J. Appl. Phys. 12 (1973) 154[JSAP].
  10. R. A. Heinecke: Solid-State Electron. 18 (1975) 1146[CrossRef].
  11. R. A. Heinecke: Solid-State Electron. 19 (1976) 1039[CrossRef].
  12. M. Yoneda, S. Uoya, and H. Abe: Proc. 2nd. Symp. Dry Process, 1980, p. 35.
  13. N. Hosokawa, R. Matsuzaki, and T. Asamaki: Proc. 6th Int. Vacuum Congr., Kyoto, 1974, Jpn. J. Appl. Phys. 2 (1974) Suppl. 2-1, p. 435[JSAP].
  14. M. H. Shin, S.-W. Na, N.-E. Lee, T. K. Oh, J. Kim, T. Lee, and J. Ahn: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 5811[JSAP].
  15. Z. B. Zhang, S. C. Song, C. Huffman, J. Barnett, N. Moumen, H. Alshareef, P. Majhi, M. Hussain, M. S. Akbar, J. H. Sim, S. H. Bae, B. Sassman, and B. H. Lee: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2005, p. 50.
  16. S. Yamanari, T. Maruyama, M. Inoue, M. Mizutani, T. Kawahara, S. Sakashita, N. Fujiwara, Y. Momonoi, and M. Izawa: Proc. 24th Symp. Plasma Processing, 2007, p. 373.
  17. N. Negishi, H. Takesue, M. Sumiya, T. Yoshida, Y. Momonoi, and M. Izawa: J. Vac. Sci. Technol. B 23 (2005) 217[AIP Scitation].
  18. S.-C. Park, S.-H. Lim, C.-H. Shin, G.-J. Min, C.-J. Kang, H.-K. Cho, and J.-T. Moon: Thin Solid Films 515 (2007) 4923[CrossRef].
  19. C. Hobbs, L. Fonseca, V. Dhandapani, S. Samavedam, B. Taylor, J. Grant, L. Dip, D. Triyoso, R. Hegde, D. Gilmer, R. Garcia, D. Roan, L. Lovejoy, R. Rai, L. Hebert, H. Tseng, B. White, and P. Tobin: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2003, p. 9.
  20. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, J. Kavalieros, and M. Metz: Ext. Abstr. Int. Workshop Gate Insulator (IWGI 2003), 2003, p. 124.
  21. A. Lauwers, A. Veloso, T. Hoffmann, M. J. H. van Dal, C. Vrancken, S. Brus, S. Locorotondo, J.-F. de Marneffe, B. Sijmus, S. Kubicek, T. Chiarella, M. A. Pawlak, K. Opsomer, M. Niwa, R. Mitsuhashi, K. G. Anil, H. Y. Yu, C. Demeurisse, R. Verbeeck, M. de Potter, P. Absil, K. Maex, M. Jurczak, S. Biesemans, and J. A. Kittl: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 4.
  22. P. C. Andricacos, C. Uzoh, J. O. Duckovic, J. Horkans, and H. Deligianni: IBM J. Res. Dev. 42 (1998) 567.
  23. K. Mosig, T. Jacobs, P. Kofron, M. Daniels, K. Brennan, A. Gonzales, R. Augur, J. Wetzel, R. Havemann, and A. Shiota: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2001, p. 292.
  24. M. Inohara, I. Tamura, T. Yamaguchi, H. Koike, Y. Enomoto, S. Arakawa, T. Watanabe, E. Ide, S. Kadomura, and K. Sunouchi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 77.
  25. D. Edelstein, C. Davis, L. Clevenger, M. Yoon, A. Cowley, T. Nogami, H. Rathore, B. Agarwala, S. Arai, A. Carbone, K. Chanda, S. Cohen, W. Cote, M. Cullinan, T. Dalton, S. Das, P. Davis, J. Demarest, D. Dunn, C. Dziobkowski, R. Filippi, J. Fitzsimmons, P. Flaitz, S. Gates, J. Gill, A. Grill, D. Hawken, K. Ida, D. Klaus, N. Klymko, M. Lane, S. Lane, J. Lee, W. Landers, W.-K. Li, Y.-H. Lin, E. Liniger, X.-H. Liu, A. Madan, S. Malhotra, J. Martin, S. Molis, C. Muzzy, D. Nguyen, S. Nguyen, M. Ono, C. Parks, D. Questad, D. Restaino, A. Sakamoto, T. Shaw, Y. Shimooka, A. Simon, E. Simonyi, S. Tempest, T. V. Kleeck, S. Vogt, Y.-Y. Wang, W. Wille, J. Wright, C.-C. Yang, and T. Ives: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2004, p. 214.
  26. A. Grill, D. Edelstein, D. Restaino, M. Lane, S. Gates, E. Liniger, T. Shaw, X.-H. Liu, D. Klaus, V. Patel, S. Cohen, E. Simonyi, N. Klymko, S. Lane, K. Ida, S. Vogt, T. V. Kleeck, C. Davis, M. Ono, T. Nogami, and T. Ivers: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2004, p. 54.
  27. T. Hashimoto, S. Okudaira, and K. Kawamoto: in Handotai Kenkyu 17 (Semiconductor Research 17), ed. J. Nishizawa (Kogyo Chosakai, Tokyo, 1980) Chap. 8 [in Japanese].
  28. Y. Horiike: in Handotai Kenkyu 19 (Semiconductor Research 19), ed. J. Nishizawa (Kogyo Chosakai, Tokyo, 1982) p. 225 [in Japanese].
  29. N. Fujiwara: ULSI Dry Etching Technology Forum '96 (Science Forum, Tokyo, 1996) IV-2 [in Japanese].
  30. H. R. Koenig and L. I. Maissel: IBM J. Res. Dev. 14 (1970) 168.
  31. Y. Todokoro: Trans. IECE Jpn. E65 (1982) 23.
  32. J. F. Battey: IEEE Trans. Electron Devices 24 (1977) 140[CrossRef].
  33. J. M. Cool and B. W. Benson: J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 2459.
  34. R. G. Poulsen: J. Vac. Sci. Technol. 14 (1977) 266[AIP Scitation].
  35. Y. Kawamoto: Proc. 7th Symp. Dry Process, 1985, p. 132.
  36. K. Tsunokuni, K. Nojiri, S. Kuboshima, and K. Hirobe: Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials, 1987, p. 195.
  37. T. Namura and H. Uchida: Proc. 11th Symp. Dry Process, 1989, p. 74.
  38. S. Sakamori, T. Maruyama, N. Fujiwara, H. Miyatake, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 2521[JSAP].
  39. K. Yonekura, S. Sakamori, K. Kawai, and H. Miyatake: J. Electrochem. Soc. 145 (1998) 2480.
  40. T. Tatsumi, K. Oshima, K. Yatsuda, T. Shibahara, K. Nagahara, T. Saitoh, M. Okamoto, Y. Kiyonobu, K. Hanada, Y. Noguchi, Y. Nogami, Y. Morita, and K. Shinohara: Proc. 4th Int. Symp. Dry Process, 2004, p. 235.
  41. A. Kojima, T. Sakai, and T. Ohiwa: Proc. 1st Int. Symp. Dry Process, 2001, p. 165.
  42. A. Ando, E. Matsui, N. Matsuzawa, Y. Yamaguchi, K. Kugimiya, M. Yoshida, K. M. A. Salam, and T. Tatsumi: Proc. 5th Int. Symp. Dry Process, 2005, p. 9.
  43. H. Lee, Y. Tseng, C. Lin, C. Wu, and T. Huang: Proc. 6th Int. Symp. Dry Process, 2006, p. 191.
  44. J. M. Moran and D. Maydan: J. Vac. Sci. Technol. 16 (1979) 1669[AIP Scitation].
  45. F. Robb: J. Electrochem. Soc. 131 (1984) 1670.
  46. M. Hatzakis, J. Paraszczak, and J. Shaw: Proc. Int. Conf. Microlithpgraphy, ME-81, 1981, p. 386.
  47. H. Abe, K. Nishioka, S. Tamura, and A. Nishimoto: Proc. 7th Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1975, Jpn. J. Appl. Phys. 15 (1976) Suppl. 15-1, p. 25[JSAP].
  48. H. Abe, K. Nagasawa, Y. Kuramitsu, K. Nishioka, I. Iwama, and T. Yamazaki: Proc. 6th Int. Cong. Microelectronics, 1974.
  49. W. H. Kroeck and T. H. Briggs: Proc. Kodak Seminar Microminiaturization, 1980, p. 135.
  50. A. R. Janus: J. Electrochem. Soc. 119 (1972) 392.
  51. R. G. Frieser: J. Electrochem. Soc. 119 (1972) 360.
  52. Y. Toyoda: Denki Kagaku 40 (1972) 531 [in Japanese].
  53. H. Nakata, K. Nishioka, and H. Abe: J. Vac. Sci. Technol. 17 (1980) 1351[AIP Scitation].
  54. O. Nozawa, Y. Shiota, H. Mitsui, T. Suzuki, Y. Ohkubo, M. Ushida, S. Yusa, T. Nishimura, K. Noguchi, S. Sasaki, H. Mohri, and N. Hayashi: Proc. SPIE 5130 (2003) 39[AIP Scitation].
  55. D. V. D. Broeke, J. F. Chen, T. Laidig, S. Hsu, K. E. Wampler, R. Socha, and J. S. Petrsen: J. Microlithogr. Microfabr. Microsyst. 1 (2002) 229.
  56. R. A. Gottscho, C. W. Jurgensen, and D. J. Vitkavage: J. Vac. Sci. Technol. B 10 (1992) 2133[AIP Scitation].
  57. Y. Yoshida and T. Watanabe: Proc. 5th Symp. Dry Process, 1983, p. 4.
  58. Y. H. Kim, S. K. Lee, and H. J. Kim: J. Vac. Sci. Technol. A 18 (2000) 1216[AIP Scitation].
  59. H. F. Winters: J. Appl. Phys. 49 (1978) 5165[AIP Scitation].
  60. D. L. Flamm, C. J. Mogab, and E. R. Sklaver: J. Appl. Phys. 50 (1979) 6211[AIP Scitation].
  61. J. W. Coburn and H. F. Winters: J. Appl. Phys. 50 (1979) 3189[AIP Scitation].
  62. J. L. Mauer, J. S. Logan, L. B. Zielinski, and G. C. Schwartz: J. Vac. Sci. Technol. 15 (1978) 1734[AIP Scitation].
  63. Y. Y. Tu, T. J. Chang, and H. F. Winters: Phys. Rev. B 23 (1981) 823[APS].
  64. J. P. Chang and H. H. Sawin: J. Vac. Sci. Technol. A 15 (1997) 610[AIP Scitation].
  65. Intergovernmental Panel on Climate Change (IPCC).
  66. D. L. Flamm: Solid State Technol. 22 (1979) 109.
  67. R. F. Baddour and R. S. Timms: The Application of Plasma to Chemical Processing (MIT Press, Cambridge, MA, 1972) p. 154.
  68. H. Komiya, H. Toyoda, T. Kato, and K. Inaba: Proc. 7th Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1975, Jpn. J. Appl. Phys. 15 (1976) Suppl. 15-1, p. 19[JSAP].
  69. W. R. Harshbarger, R. A. Poter, T. A. Miller, and P. Norton: Appl. Spectrosc. 31 (1977) 201.
  70. H. Abe: Oyo Buturi 53 (1984) 867 [in Japanese].
  71. Y. Horiike and M. Shibagaki: in Semiconductor Silicon 1977, ed. H. R. Huff and E. Sirtl (Electrochemical Society, Princeton, NJ, 1977) p. 1071.
  72. T. Enomoto, R. Ando, H. Morita, and H. Nakayama: Jpn. J. Appl. Phys. 17 (1978) 1049[JSAP].
  73. C. J. Mogab: J. Electrochem. Soc. 124 (1977) 1262.
  74. D. Shamiryan, P. Verheyen, R. Rooyackers, M. Demand, S. Beckx, and W. Boullart: Proc. 6th Int. Symp. Dry Process, 2006, p. 15.
  75. C. J. Mogab and H. J. Levinstein: J. Vac. Sci. Technol. 17 (1980) 721[AIP Scitation].
  76. U. Gerlach-Meyer, J. W. Coburn, and E. Kay: Surf. Sci. 103 (1981) 177[CrossRef].
  77. R. H. Bruce and G. P. Malafsky: J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 1369.
  78. J. Dielman and F. H. M. Sanders: Solid State Technol. 27 (1984) 191.
  79. D. J. Oostra, A. Haring, R. P. van Ingen, and A. E. de Vries: J. Appl. Phys. 64 (1988) 315[AIP Scitation].
  80. Y. Ito, A. Koshiishi, R. Shimizu, M. Hagiwara, K. Inazawa, and E. Nishimura: Proc. 20th Symp. Dry Process, 1998, p. 263.
  81. Y. Horiike, K. Kubota, H. Shindo, and T. Fukasawa: J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1995) 801[AIP Scitation].
  82. N. Ikegami, A. Yabata, G. L. Liu, H. Uchida, N. Hirashita, and J. Kanamori: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 2337[JSAP].
  83. Y. S. Kim, P. T. C. Wei, G. R. Tynan, R. Charatan, and D. Hemker: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 327[JSAP].
  84. M. Schaepkens and G. S. Oehrlein: J. Electrochem. Soc. 148 (2001) 211.
  85. M. Izawa, Y. Yokogawa, S. Yamamoto, N. Negishi, Y. Momonoi, K. Tsujimoto, and S. Tachi: Proc. 21st Symp. Dry Process, 1999, p. 291.
  86. T. Maruyama, N. Fujiwara, K. Shiozawa, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2463[JSAP].
  87. T. Shibano, N. Fujiwara, M. Hirayama, H. Nagata, and K. Demizu: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 2336[AIP Scitation].
  88. L. M. Ephrath: J. Electrochem. Soc. 126 (1979) 1419.
  89. T. Akimoto, S. Furuoya, K. Harasima, and E. Ikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 2151[JSAP].
  90. H. Kimura, K. Shiozawa, K. Kawai, H. Miyatake, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 2114[JSAP].
  91. K. Yonekura, H. Matsuo, N. Fujiwara, and H. Miyatake: Proc. 1st Int. Symp. Dry Process, 2001, p. 285.
  92. K. Hashimi, D. Matsunaga, K. Kanazawa, M. Tomoyasu, A. Koshiishi, and M. Ogasawara: Proc. 17th Symp. Dry Process, 1995, p. 207.
  93. T. Kaminishizino, T. Akimoto, and E. Izawa: Proc. 17th Symp. Dry Process, 1995, p. 213.
  94. K. H. Kwon, H. H. Park, K. S. Kim, C. I. Kim, and Y. K. Sung: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1611[JSAP].
  95. W. J. Nam, G. Y. Yeom, J. H. Kim, K. W. Whang, and J. K. Yoon: J. Vac. Sci. Technol. A 15 (1997) 590[AIP Scitation].
  96. M. Matsui, F. Uchida, M. Kojima, T. Tokuyama, K. Yamazaki, K. Katsuyama, and H. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 2330[JSAP].
  97. S. Ogino, N. Fujiwara, T. Maruyama, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 2491[JSAP].
  98. M. Yoneda, H. Itakura, K. Nishioka, and H. Abe: Proc. 3rd Symp. Dry Process, 1981, p. 47.
  99. M. Yoneda, K. Nishioka, H. Itakura, M. Hatanaka, and H. Abe: Proc. 4th Symp. Dry Process, 1982, p. 34.
  100. M. Yoneda, H. Itakura, T. Shibano, M. Hatanaka, and H. Abe: Proc. 5th Symp. Dry Process, 1983, p. 20.
  101. W. M. Holber and J. Forster: J. Vac. Sci. Technol. A 8 (1990) 3720[AIP Scitation].
  102. C. Steinbruchel: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1960[AIP Scitation].
  103. M. Fujino: ULSI Dry Etching Technology Forum '97 (Science Forum, Tokyo, 1997) 2-3 [in Japanese].
  104. S. Kanno, G. Miya, J. Tanaka, T. Masuda, K. Kuwahara, M. Sakaguchi, A. Makino, T. Tsubone, and T. Fujii: Proc. 5th Int. Symp. Dry Process, 2005, p. 265.
  105. J. W. Coburn and H. F. Winters: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2730[AIP Scitation].
  106. E. S. G. Shapfeh and C. W. Jurgensen: J. Appl. Phys. 66 (1989) 4664[AIP Scitation].
  107. T. Fukasawa, K. Kubota, H. Shindo, and Y. Horiike: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 7042[JSAP].
  108. T. Akimoto, H. Nanbu, and E. Ikawa: J. Vac. Sci. Technol. B 13 (1995) 2390[AIP Scitation].
  109. T. Maruyama, N. Fujiwara, K. Shiozawa, and M. Yoneda: J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1995) 810[AIP Scitation].
  110. K. Chen, J. Huang, C. Lin, C. Wu, T. Huang, and J. Lin: Proc. 5th Int. Symp. Dry Process, 2005, p. 275.
  111. W. S. Hwang, J. H. Chen, W. J. Yoo, and V. Bliznetsov: J. Vac. Sci. Technol. A 23 (2005) 964[AIP Scitation].
  112. N. Fujiwara, H. Sawai, M. Yoneda, K. Nishioka, and H. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) 2223[JSAP].
  113. M. Kurihara, M. Izawa, H. Uchiyama, J. Tanaka, K. Kawai, and N. Fujiwara: Proc. 6th Int. Symp. Dry Process, 2006, p. 181.
  114. M. Kurihara, J. Tanaka, M. Izawa, K. Kawai, and N. Fujiwara: Proc. ISSM, 2006, PC-90; to be published in IEEE Trans. Semicond. Manuf.
  115. M. Tadokoro, K. Yonekura, K. Yoshikawa, Y. Ono, T. Ishibashi, T. Hanawa, H. Okumura, T. Matsunobe, and K. Matsuda: Proc. 6th Int. Symp. Dry Process, 2006, p. 183.
  116. A. P. Mahorowala, D. L. Goldfarb, K. Temple, K. E. Petrillo, D. Pfeiffer, K. Babich, M. Angelopoulos, G. Gallatin, S. Rasgon, H. H. Sawin, S. D. Allen, R. N. Lang, M. C. Lawson, R. W. Kwong, K.-J. Chen, W. Li, M. Khojasteh, P. R. Varanasi, M. I. Sanchez, H. Ito, G. M. Wallraff, and R. D. Allen: Proc. 3rd Int. Symp. Dry Process, 2003, p. 89.
  117. L. H. A. Leunissen, M. Ercken, M. Goethals, S. Locorotondo, K. Ronse, G. B. Derksen, D. Nijkerk, and G. F. Lorusso: Proc. 4th Int. Symp. Dry Process, 2004, p. 1.
  118. M. Hane, T. Ikezawa, and T. Ezaki: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 99.
  119. T. Linton, M. Chandhok, B. J. Rice, and G. Schrom: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 303.
  120. S. Xiong, J. Bokor, Q. Xiang, P. Fisher, I. Dudley, P. Rao, H. Wang, and B. En: IEEE Trans. Semicond. Manuf. 17 (2004) 357.
  121. S.-D. Kim, H. Wada, and J. C. S. Woo: IEEE Trans. Semicond. Manuf. 17 (2004) 192.
  122. M. Yoneda, T. Maruyama, and N. Fujiwara: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 3363[AIP Scitation].
  123. T. Nozawa, T. Kinoshita, T. Nishizuka, K. Suzuki, and A. Nakaue: Proc. Symp. Highly Selective Dry Etching and Damage Control, Electrochem. Soc., 1993, p. 134.
  124. S. Ogino, N. Fujiwara, H. Miyatake, M. Yoneda, and H. Harada: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2445[JSAP].
  125. S. Ogino, N. Fujiwara, H. Miyatake, M. Yoneda, and H. Harada: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4573[JSAP].
  126. T. Morimoto, C. Takahashi, and S. Matsuo: Proc. 13th Symp. Dry Process, 1991, p. 57.
  127. T. Nozawa, T. Kinoshita, T. Nishizuka, A. Narai, T. Inoue, and A. Nakaue: Proc. 2nd Int. Conf. Reactive Plasma, 1994, p. 447.
  128. N. Fujiwara, T. Maruyama, M. Yoneda, K. Tsukamoto, and T. Banjo: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 2164[JSAP].
  129. N. Fujiwara, T. Maruyama, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 2095[JSAP].
  130. S. Samukawa and K. Terada: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 1994, p. 27.
  131. N. Fujiwara, T. Maruyama, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2450[JSAP].
  132. N. Fujiwara, T. Shibano, K. Nishioka, and T. Kato: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 2147[JSAP].
  133. T. Maruyama, N. Fujiwara, M. Yoneda, and K. Tsukamoto: Proc. 15th Symp. Dry Process, 1993, p. 55.
  134. T. Maruyama, N. Fujiwara, M. Yoneda, K. Tsukamoto, and T. Banjo: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 2170[JSAP].
  135. J. C. Arnold and H. H. Sawin: J. Appl. Phys. 70 (1991) 5314[AIP Scitation].
  136. T. M. Mayer and R. A. Baker: J. Vac. Sci. Technol. 21 (1982) 757[AIP Scitation].
  137. H. F. Winters and J. W. Coburn: J. Vac. Sci. Technol. B 3 (1985) 1376[AIP Scitation].
  138. S. Tachi and S. Okudaira: J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1986) 459[AIP Scitation].
  139. N. Fujiwara, T. Maruyama, M. Yoneda, K. Nakamoto, and K. Tsukamoto: Proc. 14th Symp. Dry Process, 1992, p. 211.
  140. N. Fujiwara, K. Nishioka, T. Shibano, M. Yoneda, and T. Kato: Proc. 10th Symp. Dry Process, 1988, p. 9.
  141. P. M. Schaible, W. C. Metzger, and J. P. Anderson: J. Vac. Sci. Technol. 15 (1978) 334[AIP Scitation].
  142. R. L. Bersin: Solid State Technol. 21 (1978) 117.
  143. Y. Horiike, T. Yamazaki, and M. Shibagaki: Proc. 1st Symp. Dry Process, 1979, p. 21.
  144. M. Sato and H. Nakamura: Proc. 2nd Symp. Dry Process, 1980, p. 11.
  145. K. Tokunaga, F. C. Redeker, D. A. Danner, and D. W. Hess: J. Electrochem. Soc. 128 (1981) 851.
  146. T. Shibano, H. Itakura, M. Yoneda, and H. Abe: Proc. 5th Symp. Dry Process, 1983, p. 14.
  147. I. Hasegawa, Y. Naruke, Y. Yoshida, and T. Watanabe: Proc. 7th Symp. Dry Process, 1985, p. 126.
  148. H. F. Winters: J. Vac. Sci. Technol. B 3 (1985) 9[AIP Scitation].
  149. D. A. Danner and D. W. Hess: J. Vac. Sci. Technol. A 4 (1986) 748[AIP Scitation].
  150. T. Arikado, M. Sekine, H. Okano, and Y. Horiike: IEDM Tech. Dig., 1986, p. 86.
  151. H. Sawai, N. Fujiwara, T. Ogawa, M. Yoneda, and K. Nishioka: Proc. 11th Symp. Dry Process, 1989, p. 45.
  152. M. Yoneda, H. Sawai, N. Fujiwara, K. Nishioka, and H. Abe: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) 2644[JSAP].
  153. J. Reid, S. Mayer, E. Broadbent, E. Klawuhn, and K. Ashtiani: Solid State Technol. 43 (2000) 86.
  154. T. Moftat, J. Bouench, W. Huber, A. Stanishevsky, D. Kelly, G. Stafford, and D. Jossel: J. Electrochem. Soc. 147 (2000) 4524.
  155. R. Rosenberg, D. Edekstein, C. Hu, and K. Rodell: Annu. Rev. Mater. Sci. 30 (2000) 229.
  156. F. Kaufman, D. B. Thompson, R. E. Brodie, M. A. Jaso, W. L. Guthrie, D. J. Peason, and M. B. Small: J. Electrochem. Soc. 138 (1991) 3460.
  157. S. Kondo, S. Tokitou, and B. U. Yoon: Proc. VMIC, 2002, p. 87.
  158. J. Y. Kim, M. S. Hwang, Y. H. Kim, H. J. Kim, and Y. Lee: J. Appl. Phys. 90 (2001) 2469[AIP Scitation].
  159. Y. H. Kim, M. S. Hwang, H. J. Kim, J. Y. Kim, and Y. Lee: J. Appl. Phys. 90 (2001) 3367[AIP Scitation].
  160. T. Yamashita, S. Tomohisa, S. Sakamori, M. Yamanaka, N. Fujiwara, T. Sasaki, and H. Miyatake: Proc. 1st Int. Symp. Dry Process, 2001, p. 153.
  161. K. Yonekura, S. Sakamori, K. Goto, M. Matsuura, N. Fujiwara, and M. Yoneda: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 548[AIP Scitation].
  162. K. Yonekura, K. Goto, M. Matsuura, N. Fujiwara, and K. Tsujimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 2976[JSAP].
  163. D. Shamiryan, M. R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex: J. Vac. Sci. Technol. B 20 (2002) 1923[AIP Scitation].
  164. M. Assous, J. Simon, L. Broussous, C. Bourlot, M. Fayolle, O. Louveau, A. Roman, E. Tabouret, H. Feldis, D. Louis, and J. Torres: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2003, p. 97.
  165. N. C. M. Fuller, M. A. Worsley, L. Tai, S. Bent, and T. Dalton: Proc. 6th Int. Symp. Dry Process, 2006, p. 3.
  166. L. H. Chen, S. Hoshino, T. Hayakawa, K. Maekawa, and K. Inazawa: Proc. 2nd Int. Symp. Dry Process, 2002, p. 27.
  167. Y. Morikawa, T. Hayashi, K. Tamagawa, T. Nakamura, K. Suu, H. Yamakawa, and T. Uchida: Proc. 2nd Int. Symp. Dry Process, 2002, p. 33.
  168. T. Jacobs, K. Brennan, R. Carpio, K. Mosig, J. C. Lin, H. Cox, W. Mlynko, J. Fourcher, J. Bennett, J. Wolf, R. Auger, and P. Gillespie: Proc. ITTC, 2002, p. 236.
  169. K. Yonekura, K. Goto, M. Matsuura, N. Fujiwara, and K. Tsujimoto: Proc. 3rd Int. Symp. Dry Process, 2003, p. 19.
  170. G. S. Oehrlein, R. M. Tromp, Y. H. Lee, and E. J. Petrillo: Appl. Phys. Lett. 45 (1984) 420[AIP Scitation].
  171. G. S. Oehrlein, R. M. Tromp, J. C. Tsung, Y. H. Lee, and E. J. Petrillo: J. Electrochem. Soc. 132 (1985) 1441.
  172. K. Siozawa, K. Tabaru, T. Maruyama, N. Fujiwara, and M. Yoneda: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2483[JSAP].
  173. K. Karahashi, K. Yanai, K. Ishikawa, H. Tsuboi, K. Kurihara, and M. Nakamura: J. Vac. Sci. Technol. A 22 (2004) 1166[AIP Scitation].
  174. K. Yanai, K. Karahashi, K. Ishikawa, and M. Nakamura: J. Appl. Phys. 97 (2005) 053302[AIP Scitation].
  175. R. G. Frieser, F. J. Montillo, N. B. Zingerman, W. K. Chu, and S. R. Madler: J. Electrochem. Soc. 130 (1983) 2237.
  176. S. J. Fonash: J. Electrochem. Soc. 137 (1990) 3885.
  177. A. Tsukamoto, K. Mizushima, Y. Hidaka, H. Okada, and S. Terakawa: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3058[JSAP].
  178. T. Gu, R. A. Ditiziro, S. J. Fonash, O. O. Awdelkarim, J. Ruzyllo, and R. W. Collins: J. Vac. Sci. Technol. B 12 (1994) 567[AIP Scitation].
  179. Y. Tezuka, N. Kitano, and N. Nakano: J. Electrochem. Soc. 142 (1995) 3569.
  180. N. Aoto, M. Nakamori, S. Yamasaki, H. Hada, N. Ikarashi, K. Ishida, Y. Terao, and I. Nishiyama: J. Appl. Phys. 77 (1995) 3899[AIP Scitation].
  181. M. C. Peignon, F. Clenet, and G. Turban: J. Electrochem. Soc. 143 (1996) 1347.
  182. K. Yonekura, S. Sakamori, K. Kawai, H. Miyatake, and M. Yoneda: Abstr. Electrochem. Soc. Meet., May 97-1, 1997, p. 767.
  183. T. Arikado and Y. Horiike: Jpn. J. Appl. Phys. 22 (1983) 799[JSAP].
  184. T. Watanabe and Y. Yoshida: Solid State Technol. 26 (1984) 263.
  185. T. Arikado, M. Sekine, H. Okanao, and Y. Horiike: Proc. Int. Symp. Plasma Chemistry, 1987, p. 86.
  186. T. Namura, H. Okada, Y. Naitoh, Y. Todokoro, and M. Inoue: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 1576[JSAP].
  187. S. Nakagawa, T. Sasaki, H. Mori, and T. Namura: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 2194[JSAP].
  188. T. Kinoshita, S. Krishnan, W. W. Dostalik, and J. P. McVittie: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 403[AIP Scitation].
  189. A. Salah, O. O. Awadelkarim, F. Preuninger, and Y. D. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1690[AIP Scitation].
  190. G. S. Hwang and K. P. Giapis: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 932[AIP Scitation].
  191. T. C. Chang, P. T. Liu, Y. J. Mei, Y. S. Mor, T. H. Perng, Y. L. Yang, and S. M. Sze: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 2325[AIP Scitation].
  192. P. T. Liu, T. C. Chang, Y. S. Mor, and S. M. Sze: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 3482[JSAP].
  193. Y. S. Kim, H. Nguyen, M. Dahimene, C. Bjorkman, and H. Shan: Proc. 22nd Symp. Dry Process, 2000, p. 245.
  194. Y. H. Kim, H. J. Kim, J. Y. Kim, and Y. Lee: J. Korean Phys. Soc. 40 (2002) 94.
  195. S. Uno, T. Yunogami, A. Tago, A. Maekawa, S. Machida, T. Tokunaga, and K. Nojiri: Proc. 21st Symp. Dry Process, 1999, p. 215.
  196. J. L. Vossen: J. Electrochem. Soc. 126 (1979) 319.
  197. R. H. Bruce and A. R. Reinberg: Proc. 2nd Symp. Dry Process, 1980, p. 131.
  198. J. A. Bondur: J. Vac. Sci. Technol. 13 (1976) 1023[AIP Scitation].
  199. K. Ono, T. Oomori, and M. Hanazaki: Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) 2229[JSAP].
  200. H. Kinoshita, H. Sakuma, A. Horie, and O. Matsumoto: Proc. 11th Symp. Dry Process, 1989, p. 39.
  201. K. Ono, T. Oomori, M. Tuda, and K. Namba: J. Vac. Sci. Technol. A 10 (1992) 1071[AIP Scitation].
  202. J. Hopwood, C. R. Guarinieri, S. J. Whitehair, and J. J. Cuomo: J. Vac. Sci. Technol. A 11 (1993) 147[AIP Scitation].
  203. J. Hopwood, C. R. Guarinieri, S. J. Whitehair, and J. J. Cuomo: J. Vac. Sci. Technol. A 11 (1993) 152[AIP Scitation].
  204. R. Boswell: Phys. Lett. A 33 (1970) 457[CrossRef].
  205. F. F. Chen: Plasma Phys. Control. Fusion 33 (1991) 339[IoP STACKS].
  206. N. Fujiwara, M. Yoneda, and K. Nishioka: Proc. 11th Symp. Dry Process, 1989, p. 15.
  207. J. E. Stevens, J. L. Cecchi, Y. C. Huang, and R. L. Jarecko, Jr.: J. Vac. Sci. Technol. A 9 (1991) 696[AIP Scitation].
|TOP|  |Next Article|  |Table of Contents| |JJAP Home|
Copyright © 2013 The Japan Society of Applied Physics
Contact Information